Tillverkare Produktnummer:
BSD214SNH6327XTSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSD214SNH6327XTSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-PO
Inventarier:
5980 Pcs Ny Original I Lager
12799636
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSD214SNH6327XTSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
2.5V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 3.7µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
0.8 nC @ 5 V
Vgs (max)
±12V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
143 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
500mW (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-SOT363-PO
Paket / Fodral
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Grundläggande produktnummer
BSD214
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
448-BSD214SNH6327XTSA1TR
448-BSD214SNH6327XTSA1DKR
INFINFBSD214SNH6327XTSA1
BSD214SN H6327-DG
BSD214SNH6327XTSA1-DG
2156-BSD214SNH6327XTSA1
SP000917656
BSD214SN H6327
448-BSD214SNH6327XTSA1CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
BSZ110N06NS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
BSO064N03S
MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO
BSS214NL6327HTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3
