Tillverkare Produktnummer:
BSC060P03NS3EGATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSC060P03NS3EGATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 30V 17.7/100A 8TDSON
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 30 V 17.7A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventarier:
10343 Pcs Ny Original I Lager
12799628
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
LHNG
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
BSC060P03NS3EGATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
17.7A (Ta), 100A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.1V @ 150µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6020 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 83W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TDSON-8-1
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Grundläggande produktnummer
BSC060
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
BSC060P03NS3E GDKR-DG
BSC060P03NS3E GCT
BSC060P03NS3EG
BSC060P03NS3E G
BSC060P03NS3EGATMA1TR
BSC060P03NS3E GDKR
2156-BSC060P03NS3EGATMA1
INFINFBSC060P03NS3EGATMA1
SP000472984
BSC060P03NS3E G-DG
BSC060P03NS3EGATMA1CT
BSC060P03NS3E GCT-DG
BSC060P03NS3E GTR-DG
BSC060P03NS3EGATMA1DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
BSS131H6327XTSA1
MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
BSZ042N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
BSD214SNH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6
