FQPF2N60C
Tillverkare Produktnummer:

FQPF2N60C

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

FQPF2N60C-DG

Beskrivning:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 23W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventarier:

16763 Pcs Ny Original I Lager
12946563
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FQPF2N60C Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
QFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
4.7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
235 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
23W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220F-3
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack

Datablad och dokument

Datablad
FQP2N60C Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
501
Andra namn
ONSONSFQPF2N60C
2156-FQPF2N60C

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
international-rectifier

IRF60DM206

IRF60 - 12V-300V N-CHANNEL POWER

fairchild-semiconductor

FDMS7670

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

fairchild-semiconductor

FDPF51N25YDTU

MOSFET N-CH 250V 51A TO220F-3

fairchild-semiconductor

FDP025N06

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1