IRF60DM206
Tillverkare Produktnummer:

IRF60DM206

Product Overview

Tillverkare:

International Rectifier

DiGi Electronics Delenummer:

IRF60DM206-DG

Beskrivning:

IRF60 - 12V-300V N-CHANNEL POWER
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 130A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric ME

Inventarier:

51208 Pcs Ny Original I Lager
12946577
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IRF60DM206 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
StrongIRFET™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
2.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 150µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6530 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
96W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
DirectFET™ Isometric ME
Paket / Fodral
DirectFET™ Isometric ME

Datablad och dokument

Datablad
Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
208
Andra namn
2156-IRF60DM206
INFIRFIRF60DM206

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8542.39.0001
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
fairchild-semiconductor

FDMS7670

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

fairchild-semiconductor

FDPF51N25YDTU

MOSFET N-CH 250V 51A TO220F-3

fairchild-semiconductor

FDP025N06

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FQP6N40C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6