FDP025N06
Tillverkare Produktnummer:

FDP025N06

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

FDP025N06-DG

Beskrivning:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 395W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventarier:

1401 Pcs Ny Original I Lager
12946582
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FDP025N06 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
PowerTrench®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
2.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
226 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
14885 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
395W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220-3
Paket / Fodral
TO-220-3

Datablad och dokument

Datablad
FDP025N06 Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
119
Andra namn
FAIFSCFDP025N06
2156-FDP025N06

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8542.39.0001
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
fairchild-semiconductor

FQP6N40C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

fairchild-semiconductor

FDMS7660

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

international-rectifier

IRF3709PBF

IRF3709 - 12V-300V N-CHANNEL POW

fairchild-semiconductor

FQP5N60C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4