FQP13N06L
Tillverkare Produktnummer:

FQP13N06L

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

FQP13N06L-DG

Beskrivning:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 13.6A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventarier:

48286 Pcs Ny Original I Lager
12946507
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FQP13N06L Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
QFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
13.6A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
110mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
6.4 nC @ 5 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
350 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
45W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220-3
Paket / Fodral
TO-220-3

Datablad och dokument

Datablad

Ytterligare information

Standard-paket
649
Andra namn
FAIFSCFQP13N06L
2156-FQP13N06L

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
fairchild-semiconductor

FDD6N25TM

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4

fairchild-semiconductor

FDD6680AS

MOSFET N-CH 30V 55A TO252

international-rectifier

AUIRF1404ZSTRL

MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK

fairchild-semiconductor

FDC8886

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI