FDD6N25TM
Tillverkare Produktnummer:

FDD6N25TM

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

FDD6N25TM-DG

Beskrivning:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 250 V 4.4A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventarier:

1059249 Pcs Ny Original I Lager
12946511
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FDD6N25TM Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
UniFET™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
250 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.4A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1.1Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
250 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
50W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-252AA
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Datablad och dokument

Datablad
FDD6N25TM Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
1,086
Andra namn
2156-FDD6N25TM
ONSFSCFDD6N25TM

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8542.39.0001
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
fairchild-semiconductor

FDD6680AS

MOSFET N-CH 30V 55A TO252

international-rectifier

AUIRF1404ZSTRL

MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK

fairchild-semiconductor

FDC8886

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

international-rectifier

IRF2907ZPBF

IRF2907 - 12V-300V N-CHANNEL POW