Tillverkare Produktnummer:
FDD6680AS
Product Overview
Tillverkare:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
FDD6680AS-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 55A TO252
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 55A (Ta) 60W (Ta) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventarier:
9341 Pcs Ny Original I Lager
12946515
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FDD6680AS Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
PowerTrench®, SyncFET™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
55A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
10.5mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
60W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-252 (DPAK)
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
528
Andra namn
2156-FDD6680AS
ONSONSFDD6680AS
Miljö- och exportklassificering
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
AUIRF1404ZSTRL
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
FDC8886
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
IRF2907ZPBF
IRF2907 - 12V-300V N-CHANNEL POW
