Tillverkare Produktnummer:
IPI45N06S4-09AKSA2
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPI45N06S4-09AKSA2-DG
Beskrivning:
IPI45N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 45A (Tc) 71W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventarier:
12946526
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IPI45N06S4-09AKSA2 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
CoolMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
9.4mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 34µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3785 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
71W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO262-3-1
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
331
Andra namn
2156-IPI45N06S4-09AKSA2
INFINFIPI45N06S4-09AKSA2
Miljö- och exportklassificering
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FDZ193P
MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
FDMS7580
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDPF55N06
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5