FDMS7580

Tillverkare Produktnummer:

FDMS7580

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

FDMS7580-DG

Beskrivning:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 25 V 15A (Ta), 29A (Tc) 2.5W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventarier:

12000 Pcs Ny Original I Lager

12946528

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

FDMS7580 Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Förpackning

Bulk

Serie

PowerTrench®

Produktens status

Active

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

25 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

15A (Ta), 29A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

4.5V, 10V

rds på (max) @ id, vgs

7.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

20 nC @ 10 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

1190 pF @ 13 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

2.5W (Ta), 27W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering

Surface Mount

Paket för leverantörsenhet

8-PQFN (5x6)

Paket / Fodral

8-PowerTDFN

Datablad och dokument

Datablad

Ytterligare information

Standard-paket

404

Andra namn

2156-FDMS7580

FAIFSCFDMS7580

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8542.39.0001

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

fairchild-semiconductor

FDPF55N06

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5

fairchild-semiconductor

FDP039N08B-F102

MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3

fairchild-semiconductor

FDPF16N50UT

MOSFET N-CH 500V 15A TO220F

international-rectifier

IRL60SL216

IRL60SL216 - 12V-300V N-CHANNEL