Tillverkare Produktnummer:
EPC7014UBC
Product Overview
Tillverkare:
EPC Space, LLC
DiGi Electronics Delenummer:
EPC7014UBC-DG
Beskrivning:
GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 1A (Tc) Surface Mount 4-SMD
Inventarier:
149 Pcs Ny Original I Lager
12974365
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
EPC7014UBC Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
EPC Space
Förpackning
Bulk
Serie
e-GaN®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
GaNFET (Gallium Nitride)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
5V
rds på (max) @ id, vgs
580mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 140µA
Vgs (max)
+7V, -4V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
22 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
-
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
4-SMD
Paket / Fodral
4-SMD, No Lead
Grundläggande produktnummer
EPC7014
Ytterligare information
Standard-paket
169
Andra namn
4107-EPC7014UBC
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
HTSUS (HTSUS)
0000.00.0000
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
PJD3NA50_L2_00001
500V N-CHANNEL MOSFET
SISS588DN-T1-GE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
SSM10N954L,EFF
COMMON-DRAIN NCH MOSFET, 12V, 13
