Tillverkare Produktnummer:
SISS588DN-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SISS588DN-T1-GE3-DG
Beskrivning:
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 80 V 16.9A (Ta), 58.1A (Tc) 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Inventarier:
12974369
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SISS588DN-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen V
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
80 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
16.9A (Ta), 58.1A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
7.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
8mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
28.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1380 pF @ 40 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® 1212-8S
Paket / Fodral
PowerPAK® 1212-8S
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
742-SISS588DN-T1-GE3TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SSM10N954L,EFF
COMMON-DRAIN NCH MOSFET, 12V, 13
PJW5N06A-AU_R2_000A1
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJQ4441P-AU_R2_000A1
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
