PJD3NA50_L2_00001
Tillverkare Produktnummer:

PJD3NA50_L2_00001

Product Overview

Tillverkare:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Delenummer:

PJD3NA50_L2_00001-DG

Beskrivning:

500V N-CHANNEL MOSFET
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 500 V 3A (Ta) 34W (Tc) Surface Mount TO-252

Inventarier:

Förfrågan Online
12974368
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

PJD3NA50_L2_00001 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
PANJIT
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Not For New Designs
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
500 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
6.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
260 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
34W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-252
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
PJD3NA50

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
3757-PJD3NA50_L2_00001TR
3757-PJD3NA50_L2_00001CT
3757-PJD3NA50_L2_00001DKR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
vishay-siliconix

SISS588DN-T1-GE3

N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM10N954L,EFF

COMMON-DRAIN NCH MOSFET, 12V, 13

panjit

PJW5N06A-AU_R2_000A1

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJQ4441P-AU_R2_000A1

40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M