SQJ488EP-T1_GE3
Tillverkare Produktnummer:

SQJ488EP-T1_GE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SQJ488EP-T1_GE3-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 42A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventarier:

3878 Pcs Ny Original I Lager
13006422
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SQJ488EP-T1_GE3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Emballage
Tape & Reel (TR)
Status för delar
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
21mOhm @ 7.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
979 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
83W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8
Grundläggande produktnummer
SQJ488

Datablad och dokument

Datasheets
SQJ488EP-T1_GE3
HTML-Datasheet
SQJ488EP-T1_GE3-DG
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
vishay

SIR124DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 80V 16.1A/56.8A PPAK

vishay

SQP120N10-3M8_GE3

MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

vishay

SIHG47N60AEL-GE3

MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC

vishay

SIHD7N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 7A DPAK