Tillverkare Produktnummer:
SIR124DP-T1-RE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIR124DP-T1-RE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 80V 16.1A/56.8A PPAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 80 V 16.1A (Ta), 56.8A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventarier:
7530 Pcs Ny Original I Lager
13006513
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIR124DP-T1-RE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Emballage
Tape & Reel (TR)
Status för delar
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
80 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
16.1A (Ta), 56.8A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
7.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
8.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1666 pF @ 40 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8
Grundläggande produktnummer
SIR124
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SQP120N10-3M8_GE3
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
SIHG47N60AEL-GE3
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
SIHD7N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
