SIR872ADP-T1-RE3
Tillverkare Produktnummer:

SIR872ADP-T1-RE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SIR872ADP-T1-RE3-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 150 V 53.7A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventarier:

2916 Pcs Ny Original I Lager
13008394
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SIR872ADP-T1-RE3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Emballage
Tape & Reel (TR)
Status för delar
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
150 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
53.7A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
7.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
18mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1286 pF @ 75 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
104W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8
Grundläggande produktnummer
SIR872

Datablad och dokument

Datasheets
SIR872ADP-T1-RE3
HTML-Datasheet
SIR872ADP-T1-RE3-DG
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
vishay

SQ2337ES-T1_GE3

MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3

vishay

SQJ148EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8

vishay

SIHP050N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 51A TO220AB

vishay

SIHB22N60AE-GE3

MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK