Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
SIHB22N60AE-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIHB22N60AE-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventarier:
Förfrågan Online
13008672
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIHB22N60AE-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tube
Serie
E
Emballage
Tube
Status för delar
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1451 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
179W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263 (D2PAK)
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
SIHB22
Datablad och dokument
Datasheets
SIHB22N60AE-GE3
HTML-Datasheet
SIHB22N60AE-GE3-DG
Alternativa modeller
DELNUMMER
FCB20N60FTM
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
2398
DEL NUMMER
FCB20N60FTM-DG
ENHETSPRIS
2.61
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
IPB60R160C6ATMA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
3347
DEL NUMMER
IPB60R160C6ATMA1-DG
ENHETSPRIS
1.71
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
STB21N65M5
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1748
DEL NUMMER
STB21N65M5-DG
ENHETSPRIS
2.31
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
R6024ENJTL
Tillverkare
Rohm Semiconductor
ANTAL TILLGÄNGLIGT
831
DEL NUMMER
R6024ENJTL-DG
ENHETSPRIS
1.59
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
IPB60R180P7ATMA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
2501
DEL NUMMER
IPB60R180P7ATMA1-DG
ENHETSPRIS
0.88
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SQD40N06-14L_GE3
MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA
SIS456DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
SIA459EDJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6
SUD50N04-16P-E3
MOSFET N-CH 40V 9.8A/20A TO252