Tillverkare Produktnummer:
SIHP5N50D-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIHP5N50D-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 500 V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventarier:
925 Pcs Ny Original I Lager
13062237
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIHP5N50D-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tube
Serie
-
Emballage
Tube
Status för delar
Last Time Buy
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
500 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.3A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
325 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
104W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220AB
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
SIHP5
Datablad och dokument
Produkt Ritningar
Datablad
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
SIHP5N50D-GE3-ND
742-SIHP5N50D-GE3
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IRF830PBF
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
9086
DEL NUMMER
IRF830PBF-DG
ENHETSPRIS
0.53
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
AOT5N50
Tillverkare
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ANTAL TILLGÄNGLIGT
588
DEL NUMMER
AOT5N50-DG
ENHETSPRIS
0.34
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SQM120N02-1M3L_GE3
MOSFET N-CH 20V 120A TO263
SIHD7N60ET5-GE3
MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA
SIE832DF-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 50A 10POLARPAK
