Tillverkare Produktnummer:
SIHD7N60ET5-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIHD7N60ET5-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventarier:
13062289
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIHD7N60ET5-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
E
Emballage
Tape & Reel (TR)
Status för delar
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
600mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
680 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
78W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-252AA
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
SIHD7
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIE832DF-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 50A 10POLARPAK
SI5441DC-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8
SIHF530STRL-GE3
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
