Tillverkare Produktnummer:
SIA445EDJ-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIA445EDJ-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 20 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Inventarier:
619 Pcs Ny Original I Lager
13061995
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIA445EDJ-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Emballage
Tape & Reel (TR)
Status för delar
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
2.5V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
16.5mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (max)
±12V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2130 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SC-70-6
Paket / Fodral
PowerPAK® SC-70-6
Grundläggande produktnummer
SIA445
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SIA445EDJ-T1-GE3TR
SIA445EDJ-T1-GE3DKR
SIA445EDJT1GE3
SIA445EDJ-T1-GE3CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
DMP2021UFDF-7
Tillverkare
Diodes Incorporated
ANTAL TILLGÄNGLIGT
53414
DEL NUMMER
DMP2021UFDF-7-DG
ENHETSPRIS
0.22
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SI9433BDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO
SI7322DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 18A PPAK1212-8
SI8469DB-T2-E1
MOSFET P-CH 8V 4.6A 4MICROFOOT
