Tillverkare Produktnummer:
IRC634PBF
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
IRC634PBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220-5
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 250 V 8.1A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220-5
Inventarier:
13053747
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRC634PBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
-
Serie
HEXFET®
Emballage
Tube
Status för delar
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
250 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8.1A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
450mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
770 pF @ 25 V
FET-funktion
Current Sensing
Effektförlust (max)
74W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220-5
Paket / Fodral
TO-220-5
Grundläggande produktnummer
IRC634
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
*IRC634PBF
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRLD024PBF
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
IRFP9140
MOSFET P-CH 100V 21A TO247-3
IRF9Z10
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB