IRLD024PBF

Tillverkare Produktnummer:

IRLD024PBF

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

IRLD024PBF-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 60 V 2.5A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

Inventarier:

1136 Pcs Ny Original I Lager

13053827

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

IRLD024PBF Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Vishay

Förpackning

Tube

Serie

-

Emballage

Tube

Status för delar

Last Time Buy

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

60 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

2.5A (Ta)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

4V, 5V

rds på (max) @ id, vgs

100mOhm @ 1.5A, 5V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

18 nC @ 5 V

Vgs (max)

±10V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

870 pF @ 25 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

1.3W (Ta)

Drifttemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ av montering

Through Hole

Paket för leverantörsenhet

4-HVMDIP

Paket / Fodral

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Grundläggande produktnummer

IRLD024

Datablad och dokument

Datablad

Datasheets

HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket

100

Andra namn

*IRLD024PBF

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

vishay

IRFP9140

MOSFET P-CH 100V 21A TO247-3

vishay

IRF9Z10

MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB

vishay

IRFB17N60KPBF

MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB

vishay

IRF730PBF

MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB