VP0808B

Tillverkare Produktnummer:

VP0808B

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

VP0808B-DG

Beskrivning:

MOSFET P-CH 80V 880MA TO39

Detaljerad beskrivning:

P-Channel 80 V 880mA (Ta) 6.25W (Ta) Through Hole TO-39

Inventarier:

Förfrågan Online

12787791

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

VP0808B Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Vishay

Förpackning

-

Serie

-

Produktens status

Obsolete

FET-typ

P-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

80 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

880mA (Ta)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

10V

rds på (max) @ id, vgs

5Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

150 pF @ 25 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

6.25W (Ta)

Drifttemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering

Through Hole

Paket för leverantörsenhet

TO-39

Paket / Fodral

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Grundläggande produktnummer

VP0808

Ytterligare information

Standard-paket

100

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

RoHS non-compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

vishay-siliconix

SUP50010E-GE3

MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB

AOD4184L

MOSFET

taiwan-semiconductor

TQM025NH04LCR-V RLG

40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE

taiwan-semiconductor

TQM019NH04CR-V RLG

40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE