SUP50010E-GE3

Tillverkare Produktnummer:

SUP50010E-GE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SUP50010E-GE3-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 60 V 150A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventarier:

184 Pcs Ny Original I Lager

12787792

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

SUP50010E-GE3 Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Vishay

Förpackning

Tube

Serie

TrenchFET®

Produktens status

Active

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

60 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

150A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

7.5V, 10V

rds på (max) @ id, vgs

2mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

212 nC @ 10 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

10895 pF @ 30 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

375W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ av montering

Through Hole

Paket för leverantörsenhet

TO-220AB

Paket / Fodral

TO-220-3

Grundläggande produktnummer

SUP50010

Datablad och dokument

Datablad

Datasheets

HTML-Datasheet

SUP50010E-GE3-DG

Ytterligare information

Standard-paket

50

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

AOD4184L

MOSFET

taiwan-semiconductor

TQM025NH04LCR-V RLG

40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE

taiwan-semiconductor

TQM019NH04CR-V RLG

40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE

taiwan-semiconductor

TQM025NH04LCR RLG

40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE