SUP60030E-GE3
Tillverkare Produktnummer:

SUP60030E-GE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SUP60030E-GE3-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventarier:

174 Pcs Ny Original I Lager
12920757
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SUP60030E-GE3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Bulk
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
80 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
7.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
3.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
141 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7910 pF @ 40 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
375W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220AB
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
SUP60030

Datablad och dokument

Datablad
Datasheets
HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
50

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
vishay-siliconix

SUM110P04-05-E3

MOSFET P-CH 40V 110A TO263

vishay-siliconix

SUD23N06-31-T4-GE3

MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252

vishay-siliconix

SUP50N10-21P-GE3

MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB

vishay-siliconix

SIR164ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35.9A/40A PPAK