Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
SUP50N10-21P-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SUP50N10-21P-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 50A (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventarier:
Förfrågan Online
12920772
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SUP50N10-21P-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
-
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
21mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2055 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.1W (Ta), 125W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220AB
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
SUP50
Datablad och dokument
Produkt Ritningar
TO-220AB Package Drawing
Datablad
SUP50N10-21P
Ytterligare information
Standard-paket
500
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
NTP6412ANG
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
114
DEL NUMMER
NTP6412ANG-DG
ENHETSPRIS
0.86
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
IRF3710ZPBF
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1894
DEL NUMMER
IRF3710ZPBF-DG
ENHETSPRIS
0.60
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
IRF3710PBF
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
3201
DEL NUMMER
IRF3710PBF-DG
ENHETSPRIS
0.64
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
IXTP60N10T
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
21
DEL NUMMER
IXTP60N10T-DG
ENHETSPRIS
1.10
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
STP60NF10
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
980
DEL NUMMER
STP60NF10-DG
ENHETSPRIS
1.23
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIR164ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35.9A/40A PPAK
SISS40DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK
2SJ661-1EX
MOSFET P-CH I2PAK
SIHP22N60AE-GE3
MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB