Tillverkare Produktnummer:
IRF3710ZPBF
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRF3710ZPBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 59A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventarier:
1894 Pcs Ny Original I Lager
12805442
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRF3710ZPBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
HEXFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
59A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
18mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2900 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
160W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220AB
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IRF3710
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
100
Andra namn
*IRF3710ZPBF
2156-IRF3710ZPBF
SP001564400
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPP07N03LB G
MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
IRFB38N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 43A TO220AB
IRFZ34NS
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
