SUM70030M-GE3

Tillverkare Produktnummer:

SUM70030M-GE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SUM70030M-GE3-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 100V 150A TO263-7

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 100 V 150A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263-7

Inventarier:

293 Pcs Ny Original I Lager

12948260

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

SUM70030M-GE3 Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Vishay

Förpackning

Tape & Reel (TR)

Serie

TrenchFET®

Produktens status

Active

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

100 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

150A (Tc)

rds på (max) @ id, vgs

3.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

214 nC @ 10 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

10870 pF @ 50 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

375W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ av montering

Surface Mount

Paket för leverantörsenhet

TO-263-7

Paket / Fodral

TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)

Grundläggande produktnummer

SUM70030

Datablad och dokument

Datablad

Datasheets

HTML-Datasheet

SUM70030M-GE3-DG

Ytterligare information

Standard-paket

800

Andra namn

742-SUM70030M-GE3

742-SUM70030M-GE3DKR

742-SUM70030M-GE3CT

742-SUM70030M-GE3-DG

742-SUM70030M-GE3TR

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

vishay-siliconix

SIRA20BDP-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK

vishay-siliconix

SI7469ADP-T1-RE3

MOSFET P-CH 80V 7.4A/46A PPAK

vishay-siliconix

SIR681DP-T1-RE3

MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK

vishay-siliconix

SQJ147ELP-T1_GE3

MOSFET P-CH 40V 90A PPAK SO-8