Tillverkare Produktnummer:
SQJ147ELP-T1_GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SQJ147ELP-T1_GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 40V 90A PPAK SO-8
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 40 V 90A (Tc) 183W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventarier:
23957 Pcs Ny Original I Lager
12948269
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SQJ147ELP-T1_GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
90A (Tc)
rds på (max) @ id, vgs
12.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5500 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
183W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8
Grundläggande produktnummer
SQJ147
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
742-SQJ147ELP-T1_GE3DKR
742-SQJ147ELP-T1_GE3CT
742-SQJ147ELP-T1_GE3TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SQW61N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 62A TO247AD
SQJ136ELP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
STP7NM80
MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220-3
