Tillverkare Produktnummer:
SQP100P06-9M3L_GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SQP100P06-9M3L_GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 60V 100A TO220AB
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 60 V 100A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventarier:
12786238
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SQP100P06-9M3L_GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
-
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
9.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
12010 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
187W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220AB
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
SQP100
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
SQP100P06-9M3L_GE3CT-DG
SQP100P06-9M3L_GE3CT
SQP100P06-9M3L_GE3DKR-DG
SQP100P06-9M3L_GE3TR
SQP100P06-9M3L_GE3DKR
SQP100P06-9M3L_GE3TR-DG
SQP100P06-9M3L_GE3TRINACTIVE
SQP100P06-9M3L_GE3DKRINACTIVE
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SISS30DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK
SIHB22N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK
SQJ460AEP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
