Tillverkare Produktnummer:
SISS30DN-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SISS30DN-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 80 V 15.9A (Ta), 54.7A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Inventarier:
12946 Pcs Ny Original I Lager
12786241
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SISS30DN-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
80 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
15.9A (Ta), 54.7A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
7.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
8.25mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1666 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
4.8W (Ta), 57W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® 1212-8S
Paket / Fodral
PowerPAK® 1212-8S
Grundläggande produktnummer
SISS30
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SISS30DN-T1-GE3DKR-DG
SISS30DN-T1-GE3DKR
SISS30DN-T1-GE3CT
742-SISS30DN-T1-GE3CT
SISS30DN-T1-GE3TR
742-SISS30DN-T1-GE3TR
SISS30DN-T1-GE3CT-DG
SISS30DN-T1-GE3TR-DG
742-SISS30DN-T1-GE3DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH info available upon request
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIHB22N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK
SQJ460AEP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
SIHH068N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 34A PPAK 8 X 8
