Tillverkare Produktnummer:
SQM100N10-10_GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SQM100N10-10_GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 100A TO263
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventarier:
217 Pcs Ny Original I Lager
12787524
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SQM100N10-10_GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
10.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
185 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8050 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
375W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263 (D2PAK)
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
SQM100
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
800
Andra namn
SQM100N10-10_GE3-DG
SQM100N10-10_GE3CT
SQM100N10-10-GE3
SQM100N10-10-GE3-DG
SQM100N10-10_GE3TR
SQM100N10-10_GE3DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IXFA130N10T2
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
IXFA130N10T2-DG
ENHETSPRIS
2.41
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIHA21N60EF-E3
MOSFET N-CH 600V 21A TO220
SIHP21N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 21A TO220AB
SIR112DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAK
