Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
SIR112DP-T1-RE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIR112DP-T1-RE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 40 V 37.6A (Ta), 133A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventarier:
Förfrågan Online
12787538
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIR112DP-T1-RE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
37.6A (Ta), 133A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
1.96mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
89 nC @ 10 V
Vgs (max)
+20V, -16V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4270 pF @ 20 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8
Grundläggande produktnummer
SIR112
Datablad och dokument
Datablad
SIR112DP
Datasheets
SIR112DP-T1-RE3
HTML-Datasheet
SIR112DP-T1-RE3-DG
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SIR112DP-T1-RE3TR
SIR112DP-T1-RE3CT
SIR112DP-T1-RE3DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
RS3L045GNGZETB
Tillverkare
Rohm Semiconductor
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1173
DEL NUMMER
RS3L045GNGZETB-DG
ENHETSPRIS
0.25
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
RS6G120BGTB1
Tillverkare
Rohm Semiconductor
ANTAL TILLGÄNGLIGT
2094
DEL NUMMER
RS6G120BGTB1-DG
ENHETSPRIS
1.48
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
RQ3G100GNTB
Tillverkare
Rohm Semiconductor
ANTAL TILLGÄNGLIGT
112698
DEL NUMMER
RQ3G100GNTB-DG
ENHETSPRIS
0.14
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
RS1G150MNTB
Tillverkare
Rohm Semiconductor
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
RS1G150MNTB-DG
ENHETSPRIS
0.32
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
RQ3E180GNTB
Tillverkare
Rohm Semiconductor
ANTAL TILLGÄNGLIGT
4770
DEL NUMMER
RQ3E180GNTB-DG
ENHETSPRIS
0.21
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIHP22N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
SIHA15N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 15A TO220
SUP50020EL-GE3
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
SUM110N06-3M4L-E3
MOSFET N-CH 60V 110A TO263