Tillverkare Produktnummer:
SQJ412EP-T1_GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SQJ412EP-T1_GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 40 V 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventarier:
24798 Pcs Ny Original I Lager
12916561
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SQJ412EP-T1_GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
4.1mOhm @ 10.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5950 pF @ 20 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
83W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8
Grundläggande produktnummer
SQJ412
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SQJ412EP-T1_GE3DKR
SQJ412EP-T1-GE3TR-DG
SQJ412EP-T1-GE3-DG
SQJ412EP-T1-GE3CT-DG
SQJ412EP-T1-GE3
SQJ412EPT1GE3
SQJ412EP-T1_GE3TR
SQJ412EP-T1-GE3DKR
SQJ412EP-T1-GE3DKR-DG
SQJ412EP-T1-GE3TR
SQJ412EP-T1-GE3CT
SQJ412EP-T1_GE3CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SUD40N04-10A-E3
MOSFET N-CH 40V 40A TO252
SQ4435EY-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC
SIDR680DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK
