SIA438EDJ-T1-GE3
Tillverkare Produktnummer:

SIA438EDJ-T1-GE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SIA438EDJ-T1-GE3-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC70-6
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 20 V 6A (Tc) 2.4W (Ta), 11.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6

Inventarier:

Förfrågan Online
12916597
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SIA438EDJ-T1-GE3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
-
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
2.5V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max)
±12V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
350 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.4W (Ta), 11.4W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SC-70-6
Paket / Fodral
PowerPAK® SC-70-6
Grundläggande produktnummer
SIA438

Ytterligare information

Standard-paket
3,000

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
vishay-siliconix

SIR876ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

littelfuse

IXFK32N50Q

MOSFET N-CH 500V 32A TO264AA

vishay-siliconix

SIHH26N60EF-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 24A PPAK 8 X 8

vishay-siliconix

SIHP22N60EL-GE3

MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB