Tillverkare Produktnummer:
SQD50P08-25L_GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SQD50P08-25L_GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 80V 50A TO252AA
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 80 V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventarier:
15266 Pcs Ny Original I Lager
12918476
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SQD50P08-25L_GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
80 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
25mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
137 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5350 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
136W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-252AA
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
SQD50
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,000
Andra namn
SQD50P08-25L_GE3CT
SQD50P08-25L_GE3DKR
SQD50P08-25L_GE3TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SI2347DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 5A SOT23-3
SQJ402EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
SI4324DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 36A 8SO
