Tillverkare Produktnummer:
SQJ402EP-T1_GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SQJ402EP-T1_GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventarier:
10929 Pcs Ny Original I Lager
12918491
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SQJ402EP-T1_GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
11mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2289 pF @ 40 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
83W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8
Grundläggande produktnummer
SQJ402
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SQJ402EP-T1_GE3DKR
SQJ402EP-T1_GE3CT
SQJ402EP-T1_GE3TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SI4324DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 36A 8SO
SIA448DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 12A PPAK SC70-6
SUM70N03-09CP-E3
MOSFET N-CH 30V 70A TO263
