SQD50N04-4M5L_GE3
Tillverkare Produktnummer:

SQD50N04-4M5L_GE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SQD50N04-4M5L_GE3-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 40 V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventarier:

Förfrågan Online
12787113
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SQD50N04-4M5L_GE3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
3.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5860 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
136W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-252AA
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
SQD50

Datablad och dokument

Datablad
SQD50N04-4M5L Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
2,000
Andra namn
SQD50N04-4M5L_GE3DKR
SQD50N04-4M5L_GE3CT
SQD50N04-4M5L_GE3TR
SQD50N04-4M5L_GE3-DG

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
vishay-siliconix

SIHB30N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

vishay-siliconix

SIHB18N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 18A TO263

vishay-siliconix

SIHH24N65EF-T1-GE3

MOSFET N-CH 650V 23A PPAK 8 X 8

vishay-siliconix

SIHG22N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 19A TO247AC