Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
SIHB18N60E-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIHB18N60E-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 18A TO263
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventarier:
Förfrågan Online
12787122
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIHB18N60E-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
202mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1640 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
179W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263 (D2PAK)
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
SIHB18
Datablad och dokument
Datablad
SIHB18N60E
Datasheets
SIHB18N60E-GE3
HTML-Datasheet
SIHB18N60E-GE3-DG
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IXTA24N65X2
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
50
DEL NUMMER
IXTA24N65X2-DG
ENHETSPRIS
2.52
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
STB21N65M5
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1748
DEL NUMMER
STB21N65M5-DG
ENHETSPRIS
2.31
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
IXFA22N65X2
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
250
DEL NUMMER
IXFA22N65X2-DG
ENHETSPRIS
2.56
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
STB28N60M2
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
STB28N60M2-DG
ENHETSPRIS
1.41
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
IPB60R165CPATMA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
3135
DEL NUMMER
IPB60R165CPATMA1-DG
ENHETSPRIS
2.21
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIHH24N65EF-T1-GE3
MOSFET N-CH 650V 23A PPAK 8 X 8
SIHG22N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A TO247AC
SQM90142E_GE3
MOSFET N-CH 200V 95A TO263
SIHB11N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK