SQ4410EY-T1_GE3
Tillverkare Produktnummer:

SQ4410EY-T1_GE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SQ4410EY-T1_GE3-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 15A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Inventarier:

9733 Pcs Ny Original I Lager
12920736
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SQ4410EY-T1_GE3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
12mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2385 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
5W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-SOIC
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grundläggande produktnummer
SQ4410

Datablad och dokument

Datablad
Datasheets
HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
2,500
Andra namn
SQ4410EY-T1-GE3-DG
SQ4410EY-T1-GE3
SQ4410EY-T1_GE3TR
SQ4410EY-T1_GE3DKR
SQ4410EY-T1_GE3CT
SQ4410EY-T1_GE3-DG

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
vishay-siliconix

SIR800ADP-T1-RE3

MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK

vishay-siliconix

SUM50P10-42-E3

MOSFET N-CH 100V 36A TO263

vishay-siliconix

SIHH180N60E-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 19A PPAK 8 X 8

onsemi

2SJ652-1E

MOSFET P-CH 60V 28A TO220F-3SG