SIHH180N60E-T1-GE3
Tillverkare Produktnummer:

SIHH180N60E-T1-GE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SIHH180N60E-T1-GE3-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 600V 19A PPAK 8 X 8
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 19A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8

Inventarier:

Förfrågan Online
12920747
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SIHH180N60E-T1-GE3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
E
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
180mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1085 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
114W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® 8 x 8
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Grundläggande produktnummer
SIHH180

Datablad och dokument

Datablad
SIHH180N60E

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
SIHH180N60E-T1-GE3TR
SIHH180N60E-T1-GE3CT
SIHH180N60E-T1-GE3DKR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
onsemi

2SJ652-1E

MOSFET P-CH 60V 28A TO220F-3SG

vishay-siliconix

SISS42DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 11.8/40.5A PPAK

vishay-siliconix

SUP60030E-GE3

MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB

vishay-siliconix

SUM110P04-05-E3

MOSFET P-CH 40V 110A TO263