Tillverkare Produktnummer:
SIUD406ED-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIUD406ED-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 500MA PPAK 0806
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 500mA (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 0806
Inventarier:
11860 Pcs Ny Original I Lager
12786011
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIUD406ED-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
500mA (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
1.8V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
1.46Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±8V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
17 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.25W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® 0806
Paket / Fodral
PowerPAK® 0806
Grundläggande produktnummer
SIUD406
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SIUD406ED-T1-GE3CT
SIUD406ED-T1-GE3TR
SIUD406ED-T1-GE3DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SQS460EN-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
SIR404DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
SIA443DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6