Tillverkare Produktnummer:
SIRA50ADP-T1-RE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIRA50ADP-T1-RE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 40V 54.8A/219A PPAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 40 V 54.8A (Ta), 219A (Tc) 6.25W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventarier:
8688 Pcs Ny Original I Lager
12786033
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIRA50ADP-T1-RE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
54.8A (Ta), 219A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
1.04mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (max)
+20V, -16V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7300 pF @ 20 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
6.25W (Ta), 100W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8
Grundläggande produktnummer
SIRA50
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SIRA50ADP-T1-RE3TR
SIRA50ADP-T1-RE3DKR
SIRA50ADP-T1-RE3CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SQJA94EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 46A PPAK SO-8
SUM90P10-19-E3
MOSFET P-CH 100V 90A TO263
SQJ158EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 23A PPAK SO-8
