Tillverkare Produktnummer:
SISS26LDN-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SISS26LDN-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 60V 23.7A/81.2A PPAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 23.7A (Ta), 81.2A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Inventarier:
4119 Pcs Ny Original I Lager
12787662
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SISS26LDN-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
23.7A (Ta), 81.2A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
4.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1980 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
4.8W (Ta), 57W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® 1212-8S
Paket / Fodral
PowerPAK® 1212-8S
Grundläggande produktnummer
SISS26
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SISS26LDN-T1-GE3CT
SISS26LDN-T1-GE3DKR
SISS26LDN-T1-GE3TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIS778DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
SISA40DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 43.7A/162A PPAK
SIHG80N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC
