Tillverkare Produktnummer:
SIHG80N60E-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIHG80N60E-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 80A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventarier:
12787674
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIHG80N60E-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tube
Serie
E
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
30mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
443 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6900 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
520W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247AC
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
SIHG80
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
25
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STW88N65M5
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1062
DEL NUMMER
STW88N65M5-DG
ENHETSPRIS
11.14
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SQJQ100EL-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
SUA70090E-E3
MOSFET N-CH 100V 42.8A TO220
SIS443DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
