Tillverkare Produktnummer:
SISH101DN-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SISH101DN-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 30 V 16.9A (Ta), 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Inventarier:
21433 Pcs Ny Original I Lager
12786077
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SISH101DN-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
16.9A (Ta), 35A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
7.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
102 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3595 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® 1212-8SH
Paket / Fodral
PowerPAK® 1212-8SH
Grundläggande produktnummer
SISH101
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SISH101DN-T1-GE3CT
SISH101DN-T1-GE3TR
SISH101DN-T1-GE3DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIRA18ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30.6A PPAK SO-8
SIA430DJT-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 12A PPAK SC70-6
SIRA22DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
