SIRA24DP-T1-GE3
Tillverkare Produktnummer:

SIRA24DP-T1-GE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SIRA24DP-T1-GE3-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 25 V 60A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventarier:

11221 Pcs Ny Original I Lager
12920460
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SIRA24DP-T1-GE3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
25 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
1.4mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
+20V, -16V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2650 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
62.5W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8
Grundläggande produktnummer
SIRA24

Datablad och dokument

Datablad
SIRA24DP

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
SIRA24DP-T1-GE3CT
SIRA24DP-T1-GE3DKR
SIRA24DP-T1-GE3TR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
vishay-siliconix

SIA462DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6

vishay-siliconix

SUP36N20-54P-E3

MOSFET N-CH 200V 36A TO220AB

vishay-siliconix

SUD50N10-34P-T4-E3

MOSFET N-CH 100V 5.9A/20A TO252

vishay-siliconix

SISHA12ADN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 22A/25A PPAK