Tillverkare Produktnummer:
SISHA12ADN-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SISHA12ADN-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 22A/25A PPAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 22A (Ta), 25A (Tc) 3.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Inventarier:
5998 Pcs Ny Original I Lager
12920486
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SISHA12ADN-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
22A (Ta), 25A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
4.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max)
+20V, -16V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2070 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.5W (Ta), 28W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® 1212-8SH
Paket / Fodral
PowerPAK® 1212-8SH
Grundläggande produktnummer
SISHA12
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SISHA12ADN-T1-GE3CT
SISHA12ADN-T1-GE3TR
SISHA12ADN-T1-GE3DKR
2266-SISHA12ADN-T1-GE3TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SISH114ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 18A/35A PPAK
SQJA68EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L
SQ9407EY-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO
