Tillverkare Produktnummer:
SIR890DP-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIR890DP-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 20 V 50A (Tc) 5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventarier:
12919296
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIR890DP-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
-
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
2.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2747 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
5W (Ta), 50W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8
Grundläggande produktnummer
SIR890
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SIR890DP-T1-GE3DKR
SIR890DP-T1-GE3TR
SIR890DPT1GE3
SIR890DP-T1-GE3CT
2266-SIR890DP-T1-GE3
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIHP12N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
SIHF22N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 21A TO220
SI5468DC-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
