Tillverkare Produktnummer:
SI7415DN-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SI7415DN-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 60 V 3.6A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventarier:
30427 Pcs Ny Original I Lager
12919320
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SI7415DN-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.6A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
65mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.5W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® 1212-8
Paket / Fodral
PowerPAK® 1212-8
Grundläggande produktnummer
SI7415
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SI7415DNT1GE3
SI7415DN-T1-GE3CT
SI7415DN-T1-GE3DKR
SI7415DN-T1-GE3TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
NVATS5A304PLZT4G
MOSFET P-CHANNEL 60V 120A ATPAK
SI2356DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 4.3A TO236
SI7456DDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 27.8A PPAK SO-8